RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2266
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link