RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
2524
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link