RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
2879
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905471-009.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link