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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2879
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
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