Comparaison de la RAM Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Note globale

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

23 28

Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

17.5 12.6

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

14.6 8.3

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 12800

Autour de 1.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2112 3260

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns