RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.3
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3260
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link