RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3260
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link