RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
76
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
7.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
1718
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link