RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
76
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
76
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
14.4
Скорость записи, Гб/сек
8.7
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
1718
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link