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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
49
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
14.9
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
3510
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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