RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.7
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
3510
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 64T256020EU2.5C2 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link