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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
49
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
10.5
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
2346
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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