RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
49
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.7
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
2346
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link