RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
53
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
2319
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link