RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
49
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
10.6
Speicherbandbreite, mbps
17000
25600
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
3026
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J4040F16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link