Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    30 left arrow 49
    Wokół strony -63% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16 left arrow 10.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.6 left arrow 8.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 17000
    Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    49 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.9 left arrow 16.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.7 left arrow 10.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Taktowanie / szybkość zegara
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2427 left arrow 3026
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania