Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Gesamtnote
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Gesamtnote
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Unterschiede

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 49
    Rund um -81% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.4 left arrow 10.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.5 left arrow 8.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 17000
    Rund um 1.51 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    49 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 17.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.7 left arrow 14.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2427 left arrow 3692
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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