RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.7
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
3692
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link