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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.3
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
2413
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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