RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.7 left arrow 8.3
    Średnia wartość w badaniach
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 17000
    Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    49 left arrow 49
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.9 left arrow 10.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.7 left arrow 8.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2427 left arrow 2413

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Pamięć RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Pamięć RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Pamięć RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Jinyu 16GB
Jinyu 16GB
Pamięć RAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Pamięć RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Pamięć RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Pamięć RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Pamięć RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Pamięć RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Pamięć RAM
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Pamięć RAM