RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2534
2812
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link