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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Comparar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
49
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
11.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
34
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
11.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2534
2812
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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