RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
49
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
49
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2534
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link