RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
49
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
49
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2534
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link