RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
104
Wokół strony -395% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3380
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link