RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
104
Autour de -395% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
21
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3380
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link