RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
104
Intorno -395% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
21
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3380
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link