RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2812
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link