RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2812
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link