RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
87
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.7
3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2163
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
InnoDisk Corporation 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link