RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против InnoDisk Corporation 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
870.4
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
87
Около -129% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.7
3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
7.7
Скорость записи, Гб/сек
870.4
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2163
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
InnoDisk Corporation 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link