RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
41
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
7.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
1512
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link