RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
42
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2831
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link