RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link