RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link