Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

4 22.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,168.2 16.9

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 60

Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 5300

Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

941 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns