RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
22.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
60
Около -107% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
22.8
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3792
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link