Comparação RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Pontuação geral

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 22.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

2,168.2 16.9

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

29 60

Por volta de -107% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 5300

Por volta de 4.02 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

941 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns