Comparación de la memoria RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Puntuación global

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 22.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,168.2 16.9

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

29 60

En -107% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 5300

En 4.02 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

941 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns