RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
51
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3726
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link