RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
51
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3595
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link