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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
51
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
33
读取速度,GB/s
9.8
17.2
写入速度,GB/s
8.1
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3595
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
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