RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
51
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3477
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link