RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
51
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
34
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3477
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link