RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
51
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2430
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CM3X8GA1600C11V2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link