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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
51
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
43
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2430
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
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