RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
51
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3593
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link