RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
51
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
30
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3593
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link