RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
51
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3083
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link