RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
51
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
22
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
3083
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link