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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
51
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
1832
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
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