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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
51
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
30
Velocità di lettura, GB/s
9.8
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
1832
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
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Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
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