RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
51
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3242
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link